Vom 8. bis 13. September 2024 findet die internationale Konferenzreihe GADEST (Gettering and Defect Engineering in Semiconductor Technology) in Bad Schandau statt. Aller zwei Jahre dient sie Wissenschaft und Industrie als Diskussionsplattform über die Physik von Halbleiterdefekten, Materialeigenschaften sowie darauf aufbauender technologischer Fertigungsaspekte.
Das CiS Forschungsinstitut berichtet gemeinsam mit Forschungspartnern in vier Beiträgen über Defektmechanismen in Silizium bei unterschiedlichen Dotierungen. In der abendlichen Poster Session (Stand M10), am Montag erklärt Dr. Kevin Lauer aus dem CiS Forschungsinstitut, Untersuchungsresultate von Tl-dotiertem Silizium durch Photolumineszenz bei niedriger Temperatur. Theoretische Betrachtungen über Bordefekte in Silizium wird der Nachwuchsforscher Aaron Flötotto in seinem Poster (Stand MP13) ebenfalls an diesem Abend vorstellen.
In der Vortragssession WeM1 „Si-based Quantum devices“ am Mittwoch präsentiert Dr. Kevin Lauer ein weiteres Forschungshighlight des CiS Forschungsinstitutes. Sein Vortrag behandelt die Ergebnisse bei der Untersuchung von ASi-Sii-Defekten als Qubits, vorausgesetzt, diese Defekte können präzise lokal erzeugt werden. Am CiS Forschungsinstitut gelang es erstmals lokale Leuchtzentren in Indium-dotiertem Silizium durch lokales Laserabschrecken zu erzeugen und nachzuweisen.
Der Vortrag der Nachwuchsforscherin Katharia Peh „Relationship between the P-line in indium-doped silicon spectra and the recent ASi-Sii defect model” am Donnerstag beinhaltet weitere Details der Untersuchungen.
Die Beiträge sind auch ein Ergebnis der gemeinsamen Forschungen an der Technischen Universität Ilmenau, die durch Dr. Kevin Lauer im Rahmen seiner Tätigkeit an dieser Universität betreut werden.
Eine Veröffentlichung einzelner Beiträge erfolgt in der regulären Sonderausgabe der Physica Status Solidi A, in der Kategorie Gettering and Defect Engineering in Semiconductor Technology (GADEST 2024).
