Low Gain Avalanche Detektoren für 1keV Elektronen
Akronym: | eLGAD | |
Projektlaufzeit: | 01.11.2022 - 30.04.2025 | |
Beschreibung: | Auf Basis von Silizium-basierten Low Gain Avalanche Dioden (LGAD) soll ein Detektor entwickelt mit so hoher Empfindlichkeit, dass niederenergetische Elektronen damit detektiert werden können. Die Herausforderung dabei ist, das niederenergetische Elektronen nur eine geringe Eindringtiefe in Silizium besitzen. Elektronen-Loch-Paare, die ein detektierbares Signal erzeugen, werden daher auch nur in einem kleinen Bereich generiert. Ziel ist möglichst viele der generierten Elektronen-Loch-Paare einzusammeln und zu verstärken. Das bedeutet eine hohe Quanteneffizienz im angestrebten Bereich zu erhalten. Zudem muss der Dunkelstrom der Detektoren auch bei Vorspannung hinreichend klein sein, um die typischerweise kleinen Signale bewerten zu können. |
|
Gefördert durch: | Bundesministerium für Wirtschaft und Klimaschutz | |
Projektträger: | Euronorm | |
Förderkennzeichen: | 49MF220099 | |
News-Artikel zum Projekt eLGAD: | ||
Defektmechanismen in Silizium – Vier Beiträge auf der GADEST 2024 4. September 2024 |
« zurück zur Projektübersicht