Am Mittwoch, den 19. Februar trägt CiS auf dem 15. „Workshop on Advanced Silicon Radiation Detectors“ zum Thema „Simulation and Technology Study of Shallow Doping Profiles“ vor.
CiS entwickelt derzeit neue Technologieansätze, um besonders flache p-n-Übergänge für Detektoren ionisierender Teilchen, aber auch zur Detektion von niederenergetischen Elektronen und ultraviolettem Licht zu realisieren. Zusätzlich besteht die Anforderung, die Ladungsverluste in den Detektor durch sehr dünne Totzonen zu reduzieren.
Diese Technologie wird z.B. benötigt, um Delta-E-Detektoren zu realisieren. Vorgestellt werden die Entwicklungen des Fachbereiches Siliziumdetektoren für einen doppelseitigen AC-gekoppelten Delta-E-Streifendetektor in Trapezform, der im zukünftigen TRex-Detektor im MINIBALL-Array an der ISOLDE-Facility am CERN eingesetzt werden soll.
Eine weitere große Herausforderung bei der Fertigung von TRex-Delta-E-Detektoren besteht darin, die doppelseitigen Detektoren flexibel 70 oder 100 µm dünn realisieren zu können. Hierbei werden die Forschungs- und Entwicklungsergebnisse aus dem Forschungsprojekt DLAT (Doppelseitige, großflächig gedünnte Strahlungsdetektoren; MF 170023) angewandt.
Die genannten Entwicklungsarbeiten werden auch bei der Entwicklung von strahlenharten Low Gain Avalanche Dioden (DELGAD MF190042) und Detektoren für sehr niederenergetische Elektronen (SiekEV; MF180076) genutzt.
Hiermit ergeben sich vielfältige Möglichkeiten, sich mit den Fachkreisen zu verschiedenen Detektorkonzepten passend zu den Workshop-Topics auszutauschen: Planare Pixel- und Streifendetektoren, LowGain APD, Silizium Photomultiplier und 3D Sensoren.
