Siliziumdetektor für Elektronen mit Energie 1keV
| Akronym: | SiekeV | |
| Projektlaufzeit: | 01.11.2018 - 30.04.2021 | |
| Beschreibung: | Fokus lag auf der Erhöhung die Quanteneffizienz von Siliziumdioden bezüglich der Einstrahlung niederenergetischer Elektronen. Durch die Detektion niederenergetischer Elektronen ist es möglich, sehr oberflächensensitiv Rasterelektronenmikroskopie-Aufnahmen zu machen. In diesem Projekt wurde ein regelrechter Durchbruch erzielt. Die Quanteneffizienz von niederenergetischen Elektronen einer Energie von 1keV wurde von 2% für eine Standard pn-Diode auf 75% für den neu entwickelten Elektronendetektor erhöht. Erreicht wurde dies durch eine Optimierung der Prozessparameter. Zudem wurden neue Design rules erstellt. Entscheidend sind dabei die Tiefe des pn-Überganges und die Dicke des Deckschichtsystems. Beides wurden deutlich reduziert, so dass niederenergetische Elektronen im Silizium mit hoher Quanteneffizienz Elektronen-Loch-Paare erzeugen können. | |
| Gefördert durch: | BMWI |  |
| Projektträger: | EuroNorm GmbH | |
| Förderkennzeichen: | 49MF180076 | |
| Kontakt: | Kontaktieren Sie uns zu diesem Projekt über unser ehemaliges Geschäftsfeld Silizium-Detektoren | |
News-Artikel zum Projekt SiekeV: | ||
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Siliziumdetektor für Elektronen mit Energien von 1 keV 15. Dezember 2020 |
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