Black Silicon
| Akronym: | Black Silicon | |
| Projektlaufzeit: | 01.03.2015 - 30.04.2017 | |
| Beschreibung: | Ziel dieses Projektes war es, Photodioden durch die Reduktion von Streulicht vor allem im infraroten Wellenlängenbereich, leistungsfähiger zu machen. Fotodetektoren mit niedrigen Dunkelstrom und starkem Fotostromanstieg sind vorteilhaft für Anwendungen mit geringer Messsignalhöhe oder Applikationen bei denen langsame Reaktionen stattfinden. Zudem wurde eine empfindliche Photodiode auf Grundlage einer p-dotierten Black Silicon Oberfläche entwickelt. Die Herstellung der Diodenstruktur erfolgte mittels Immersionsimplantation bzw. Ionenstrahlimplantation. | |
| Märkte: | Optik | |
| Gefördert durch: | BMWI |  |
| Projektträger: | EuroNorm GmbH | |
| Förderkennzeichen: | MF140099 | |
| Kontakt: | Kontaktieren Sie uns zu diesem Projekt über unser Geschäftsfeld MOEMS | |
News-Artikel zum Projekt Black Silicon: | ||
 |
Mitschnitt unseres aktuellen MOEMS Webinars ist verfügbar [Video] 23. Juli 2021 |
|
« zurück zur Projektübersicht
