Während der nächste Woche startenden Hannover Messe stellt das CiS Forschungsinstitut auf dem Thüringer Gemeinschaftsstand in Halle 3, Stand D76 einen galvanisch getrennten Inkrementalsensor vor. Im Rahmen des Förderprojektes „GalGiS“ wurden neue Siliziumtechnologien entwickelt, um eine solche galvanische Trennung bereits auf Chipebene zu erreichen.
Als Demonstratoren wurden hierbei Photodiodenzeilen mit integrierter LED-Lichtquelle entwickelt, die bereits bei einem Abstand von 150 µm zwischen den Elementen hohe Spannungsfestigkeiten (bis 1500 V) erreichen. Die neue Technologie gewährleistet die übliche geometrische Genauigkeit im Sub-Mikrometerbereich. Daraus folgend werden hochpräzise Phasenlagen und Signalverhältnisse reproduzierbar und langzeitstabil realisiert und applikationsspezifische Anforderungen erreicht.
Der galvanische Inkrementalsensor kann in optischen Encodern für Positions- und Geschwindigkeitssensoren eingesetzt werden – insbesondere dort wo hohe technische Sicherheit gefordert wird – beispielsweise in Luft- und Raumfahrt, Schienenverkehr und Medizintechnik.
» Infosheet: Galvanisch getrennter Inkrementalsensor (GalGIS)
Infrarot-Strahler mit Dynamik größer 100 Hz
Infrarot-MEMS-Strahler sind leistungsstarke Alternativen zu klassischen Glühbirnen. Diese Wärmestrahler können den Spektralbereich von 2 bis 15 µm abdecken und erreichen dynamische Modulationen von bis zu 30 Hz. Im Rahmen einer neueren Entwicklung wurde die Dynamik sogar über die 100 Hz-Grenze hinaus verschoben.
Eine Anwendung für das flinke Infrarot-Emitter-Array liegt in der nicht-dispersiven Infrarotspektroskopie (NDIR) zur Gasdetektion und -konzentration für medizinische und industrielle Anwendungen.
» Infosheet: Flinkes Infrarot-Emitter-Array (FIRE)
Avalanche-Photodiode mit verstärkter blauer und ultravioletter Verstärkung
APDs werden häufig für die Erkennung von schwachem Licht verwendet. Standard-APDs haben eine Spitzenempfindlichkeit bei Wellenlängen > 500 nm. Die entwickelte neue BV-APD erreicht eine hervorragende Leistung für UV- und Blaulicht mit einem Spektralbereich von 250-700 nm und kann kundenspezifisch designt werden.
» Infosheet: Hochempfindliche rauscharme Blauviolett-Avalanche-Photodioden (BVAPD)
Neben dem Portfolio an Photodioden zeigt das CiS Forschungsinstitut auch eine Auswahl am MEMS-Entwicklungen. Dazu zählen:
» Infosheet: High-End-Beschleunigungssensoren (HEB)
» Infosheet: Hybrid aufgebaute Silizium-Dehnungssensoren (SiDMeses)
» Infosheet: Nachrüstsatz zur nichtinvasiven Druckmessung (NivLer)
Die beschriebenen Forschungs- und Entwicklungsarbeiten wurden in den nachstehenden Forschungsprojekten durch das Bundesministerium für Wirtschaft und Klimaschutz (BMWK) gefördert:
Galvanisch getrennter Inkrementalsensor (GalGIS)
FKZ: 49VF123456
Flinkes Infrarot-Emitter-Array (FIRE)
FKZ: 49MF220020
Hochempfindliche rauscharme Blauviolett-Avalanche-Photodioden (BVAPD)
FKZ: 49MF200098
High-End-Beschleunigungssensoren (HEB)
FKZ: 49VF200064
Verbesserung der Stabilität hybrid aufgebauter Silizium-Dehnungssensoren (SiDMeses)
FKZ: 49MF200061
Nachrüstsatz zur nichtinvasiven Druckmessung (NivLer)
FKZ: 49MF220174
