Im Projekt Implantierbare Siliziumdosimeter (SiDO) wurde ein In-Vivo-Dosimeter entwickelt und aufgebaut, der die Strahlenbelastung in unmittelbarer Nähe eines Karzinoms während einer Strahlentherapie messen kann.
Durch Simulationsrechnungen wurde zunächst gezeigt, dass Oxidladungen auf p-Typ-Materialien einen entscheidenden Einfluss auf das Durchbruchverhalten des Diodenstroms haben. Zudem wurde die Auswirkung einer Epischichtdicke auf das Degradationsverhalten unter Strahlenbelastung bestimmt.
Bisher werden in der Strahlentherapie die Messsignale erfasst, indem der in einer Siliziumdiode durch die Röngtenstrahlung erzeugte Photostrom mit einem Elektrometer gemessen wird. Die im CiS Forschungsinstitut entwickelte pulssensitive Elektronik nutzt aus, dass in der Strahlentherapie die Röntgenstrahlung in ungefähr 3 µs andauernden Pulsen auf den menschlichen Körper trifft, indem die Pulse in Treppenpulse mit einer Abklingzeit von 50 µs umgewandelt werden. Während zweier Messkampagnen bei der PTB Braunschweig wurde gezeigt, dass der Einfluss des Dunkelstroms und des Hintergrundlichtes weitgehend reduziert worden ist, so dass diese während einer Dosisbestimmung nicht mehr in Erscheinung treten und geringe Strahlintensitäten und -schwankungen genau gemessen werden können.
Die Forschungs- und Entwicklungsarbeiten im Projekt „Implantierbare Siliziumdosimeter“ (SiDo) wurden gefördert durch das Bundesministerium für Wirtschaft und Klimaschutz.
FKZ: 49MF190105
