Das CiS Forschungsinstitut verfügt über eine Reihe von typischen Verfahren zur monolithischen Integration sensorischer und elektronischer Funktionen in Silizium. In einem modernen Reinraum werden Wafer aus Silizium und anderen Materialien auf einer eigenen Halbleiterfertigunglinie bearbeitet. Hier können verschiedene Standardprozesse mit weiteren Modulen zur doppelseitigen und dreidimensionalen Mikrostrukturierung von Siliziumwafern sowie zur Abscheidung verschiedener funktionaler Schichten frei kombiniert werden.
Auf dieser Basis werden gemäß den jeweiligen Anforderungen spezifische produktunabhängige Technologieplattformen entwickelt. Eine Vielzahl von mikro- und nanotechnischen Technologieplattformen wurden bereits technologisch zur Fertigung von Sensorchips erprobt und stehen für kundenspezifische Entwicklungen, Prototyping und Kleinserienfertigung zur Verfügung. Den Bedingungen des Qualitätsmanagements entsprechend, ist die Prozessüberwachung und -dokumentation etabliert. Neben klassischen Prüfmethoden werden auch inhouse verfügbare Verfahren der Halbleiteranalytik, Sonderprüfverfahren sowie optische und elektrische Messverfahren genutzt.
Unter industrienahen Bedingungen können kundenspezifische mikromechanische und optoelektronische Bauelemente sowie dreidimensionale sensorische Systeme entwickelt und realisiert werden, u.a. hochspezialisierte Photodioden und Photodiodenarrays für Anwendungen der Elektronendetektion und optoelektronischer Wandlung im Frequenzbereich von Ultraviolett bis Infrarot, piezoresistive Dehnmessstreifen und Drucksensoren.
