Das Team der Prozessentwicklung beschäftigt sich mit der Einführung neuer Prozesse und Technologiemodule. Ausgehend von neuesten Forschungsergebnissen werden Technologiekomplexe erarbeitet, die eine Überführung in einen fertigungsnahen Prozess erlauben. Ziel ist der Ausbau der Kompetenzen innerhalb der Wafer- und Bauteilfertigung.
Aktuell konzentrieren sich die Arbeiten auf:
- die erweiterten Strukturierungsmöglichkeiten von Silizium mit dem Ziel einer deutlichen Erhöhung der Empfindlichkeit der auszulesenden Messgröße des MEMS-Bauteils,
- die Optimierung und Implementierung verschiedenster Waferbondprozesse in die Prozesslandschaft des CiS Forschungsinstituts,
- und die unterschiedlichen Metallisierungsverfahren von den klassischen Sputtertechnologien über die Galvanik bis zum Inkjetverfahren.
Letzteres dient unter anderem als Schnittstelle zwischen der Frontend-Wafer-Fertigung und nachfolgender Aufbau- und Verbindungstechnik. Ziel sind Bauteil-schonende Verfahren, um die Empfindlichkeit der Sensorchips im Prozess zu bewahren und sogar zu verbessern.
Kennzeichnend für die Prozessentwicklung ist die Rückkopplung zu Mitarbeitenden im Bereich Simulation & Design, da technologische Zusammenhänge auf den Entwurfsprozess eines Sensorchips die Voraussetzung für die erfolgreiche Umsetzung des angestrebten Layouts sind. Prozessentwicklung bedeutet für uns immer ein ganzheitliches Technologiekonzept, das Machbarkeiten auslotet und sich somit aktuellen Anforderungen stellt.