Vom 12. bis 15. November 2024 zeigen wir eine Auswahl unserer Forschungs- und Entwicklungsergebnisse. Die europäische Halbleiterindustrie trifft sich in den Hallen der Messe München. Interessierte Besucher finden unseren Stand auf dem Thüringer Gemeinschaftsstand der LEG C1718 in Halle C1. Wir freuen uns auf Ihren Besuch und anregenden Gedankenaustausch
Letzte Woche ging der CiS MOEMS-Workshop „NDIR-Sensorik von der Komponente bis zum System“ in die vierte Auflage und bot seinen Teilnehmenden vielfältige Vorträge und Diskussionen zu aktuellen Trends und Anwendungen zum Thema. Erste Fragestellungen für die dann fünfte Auflage des NDIR-Workshops in 2026 wurden bereits formuliert
Zum ersten Mal präsentieren wir unsere Entwicklungen auf der internationalen Erfindermesse iENA in Nürnberg. Mit über 500 Erfindungen aus 31 Ländern ist die iENA eine der bedeutendsten Plattformen für Innovationen. Wir sind gespannt, wie unsere Technologien von den Besuchern und der Jury aufgenommen werden
Ziel des neuen Forschungsvorhabens DotIR ist es, mit einer Dotierung des MoSi2 eine Verringerung der Elektromigration für eine Verbesserung der Lebensdauer von Infrarotemittern zu erreichen. Darüber hinaus wird untersucht, ob durch eine Dotierung die Emissivität im infraroten Spektralbereich erhöht werden kann
In der Sparkassen-Arena Jena treffen sich am 25. und 26. September 2024 die Fachleute der Zukunftstechnologien in Mitteldeutschland. Auch das CiS Forschungsinstitut zeigt an seinem Stand F4b in Halle 2 aktuelle Forschungsergebnisse aus dem Bereich Optik und Photonik. Dr. Martin Schädel, Geschäftsfeldleiter MOEMS, steht für Fragen rund um unsere Messehighlights zur Verfügung
Miniaturisierte, infrarotsensitive Detektoren werden für kontaktfreie Temperaturmessungen sowie bildgebende und spektroskopische Anwendungen im Spektralbereich von 1 bis 15 µm benötigt. Dazu wurden im abgeschlossenen Projekt MyTZe Technologien zur Membranerzeugung entwickelt, ausgewählt und realisiert
Vom 8. bis 13. September 2024 findet die internationale Konferenzreihe GADEST (Gettering and Defect Engineering in Semiconductor Technology) in Bad Schandau statt. Das CiS Forschungsinstitut berichtet gemeinsam mit Forschungspartnern in vier Beiträgen über Defektmechanismen in Silizium bei unterschiedlichen Dotierungen
Im neu gestarteten Projekt CNT-IR sollen Kohlenstoffnanoröhren und Einkapselungen zur Erhöhung der Emission des IR-Emitters bei gleichbleibender elektrischer Leistung eingesetzt werden. Zum Einsatz kommen solche Lichtquellen insbesondere bei optischen Gassensoren (NDIR-Sensoren)
Im Fokus des abgeschlossenen Projektes PhIR-10 stand die Entwicklung von Thermopiles mit Absorbern basierend auf photonischen Strukturen und deren Fertigung mit etablierten Halbleiterverfahren. Mittels Simulationen wurden Strukturen ermittelt und anschließend Thermopiles mit diesen Strukturen gefertigt und analysiert
Für die mögliche Verwendung von ASi-Sii-Defekten als Qubits in der Quantentechnologie ist deren präzise lokale Erzeugung eine wesentliche Voraussetzung. Am CiS Forschungsinstitut für Mikrosensorik konnten nun erstmals lokale Leuchtzentren in Indium-dotiertem Silizium durch lokales Laserabschrecken erzeugt und nachgewiesen werden
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