Passivierschichten aus synthetischem Diamant sind besonders medienresistent. Eine kostengünstige Implementierung von Diamantschichten in relevanten Sensorbereichen wurde mittels Adaption von Technologien der Mikrosystemtechnik zuverlässig erprobt
Nach erfolgreichem Pitch bei getstarted2gether wird das Gründungsprojekt „Fehlerfrüherkennung in Hochleistungsbatterien“ der DC Industrie Entwicklung GmbH aktuell produktions- und verfahrensreif weiterentwickelt. Das CiS Forschungsinstitut unterstützt das Start Up im Förderzeitraum mit seiner technischen Infrastruktur sowie seiner Competence in Silicon aus mehr als 25 Jahren
Die InnoCON bildet eine Plattform, die erfolgreiche Projekte vorstellt und zum Netzwerken einlädt. Das CiS Forschungsinstitut stellte technologische Herausforderungen des Projekts „TeSIS – Texturierter Schwarzkörper-MEMS-IR-Strahler“ vor und war auf dem Gemeinschaftsstand des FTVT dabei
Das neue Forschungsprojekt „Drucksensor aus <110> Silizium mit erhöhter Linearität“ verspricht eine deutliche Reduktion des Kalibrieraufwandes, potentieller Fehlerquellen und Kosten bei hochgenauen Druckmesszellen
Auf der Sensor+Test 2019 zeigt das CiS Forschungsinstitut aktuelle Entwicklungen und Forschungsergebnisse aus den Geschäftsfeldern MEMS, MOEMS und Siliziumdetektoren für Anwendungen in Industrie, Medizin- und Umwelttechnik
Anspruchsvolle AVT für Time-of-Flight Kamera-Module, doppelseitige Mikrostreifen-Detektoren und weitere aktuelle Entwicklungsergebnisse zeigt das CiS auf der HMI 2019 im Doppelpack: am Thüringen Gemeinschaftsstand der LEG in Halle 4, Stand F34 und am Stand des Forschungs- und Technologieverbund Thüringen e.V. (FTVT) in Halle 2, Stand A27
Auf der Sensor+Test 2018 in Nürnberg zeigt das CiS Forschungsinstitut ein serienfertigungstaugliches Hochtemperaturdrucksensorsystem mit einer Einsatztemperatur von bis zu 300°C.
Ein gutes Feedback und hohes Interesse erzeugte unsere Ausstellung auf dem Innovationstag des Mittelstandes des BMWi am 7. Juni 2018 in Berlin. Hier stellte unser Forschungsinstitut das INNO-KOM-Projekt „Wafer Level Packaged Pressure Sensor With Through Silicon Vias“ vor.
Mit der wiederholten Teilnahme als Aussteller auf dem Gemeinschafstand der Thüringer Landesentwicklungsgesellschaft konnte das CiS Forschungsinstitut durchweg positives Feedback in zahlreichen Gesprächen mit Interessenten aus Industrie und Mittelstand verzeichnen
Piezoresistive Drucksensorchips aus dem CiS werden dort eingesetzt, wo hohe Präzision, Stabilität und Zuverlässigkeit gefordert werden. Das gleiche Sensorprinzip wird nun auch zur Kraftmessung in Silizium-Dehnmessstreifen genutzt. Die dehnungsempfindlichen Widerstände werden dabei als Wheatstonesche Messbrücke in hauchdünne Chips monolithisch integriert
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