Implantierbare Siliziumdosimeter für die Strahlentherapie
/in Medizintechnik, MOEMS, Simulation & DesignAuf Basis einer pulssensitiven Elektronik konnten im F&E-Projekt SiDo biokompatible, implantierbare Siliziumdosimeter für die Strahlentherapie im CiS Forschungsinstitut entwickelt werden. Auf dieser Technologie basierte In-Vivo-Dosimeter können die Strahlenbelastung in unmittelbarer Nähe eines Karzinoms während einer Strahlentherapie messen
Überreichung von Fördermittelbescheid durch Minister Tiefensee
/in Energie, PolitikThüringens Wirtschaftsminister Tiefensee überreichte am 29.11.2022 bei seinem Besuch im CiS Forschungsinstitut einen Fördermittelbescheid an die beiden Geschäftsführer Herrn Brock und Prof. Ortlepp. Die Gelder stammen aus EU-REACT-Mitteln. Wirtschaftsnahe Forschungseinrichtungen aus Thüringen konnten sich in einen Wettbewerbsaufruf qualifizieren. Im Mittelpunkt standen hierbei Technologien und Verfahren für eine nachhaltigere Verwendung von Energie und Ressourcen
Projekt smartBond: Entwicklung eines hochgenauen, formschlussunterstützten Flip-Chip-Thermokompressionsverfahrens
/in AVT, ProzessentwicklungDie Montage sowie kraftschlüssige und elektrisch-leitende Fügeverbindung von Photodioden zu hybriden Detektormodulen wurde im Projekt smartBond mittels Thermokompressionsbonden mit chemisch-galvanisch abgeschiedener Pillarstrukturen und deren hochgenaue Positionierung durch sog. Self-Alignment untersucht und optimiert
Wasserstoff-Sensoren für die Energieversorgung der Zukunft
/in Druck, Energie, MEMS, Veranstaltungen, WasserstoffAuf dem Fachforum GREAT H2 in der Arena Erfurt am 16.11.2022 stellt Dr. Thomas Frank, Fachbereichsleiter MEMS am CiS Forschungsinstitut, ein H2-Semicron®-Gassensorsystem zur Messung von Wasserstoffkonzentrationen in Anlagen wie Elektrolyseuren und Speichersystemen vor. Das Sensorsystem ist eine gemeinsame Entwicklung mit der UST Umweltsensortechnik GmbH
Besuchen Sie uns auf der electronica 2022 in München
/in VeranstaltungenMorgen startet die electronica 2022 in München und das CiS Forschungsinstitut ist vom 15.-18.November mit einem Messestand (424) in Halle B3 auf der Gemeinschaftsfläche „Sensor-Pavilion“ vertreten. Die electronica gilt als internationale Leitmesse und Konferenz der Elektronik-Branche und zeigt das ganze Spektrum aus Technologien, Produkten und Lösungen der gesamten Welt der Elektronik
Besuchen Sie uns auf der COMPAMED 2022
/in Medizintechnik, MOEMS, VeranstaltungenKommende Woche findet die COMPAMED vom 14. bis 17. November 2022 in Düsseldorf statt. Das CiS Forschungsinstitut ist mit einem Messestand (H23.4) in Halle 8A am Gemeinschaftsstand des IVAM vertreten. Außerdem wird Dr. Martin Schädel, Geschäftsfeldleiter MOEMS, im Rahmen des COMPAMED HIGH-TECH FORUM in seinem Vortrag über „Silicon-based Microsensors for Medical & Health Care Applications“ berichten
MOEMS-Workshop erfolgreich in der 3. Auflage
/in MOEMS, VeranstaltungenGestern fand bereits zum dritten Mal ein CiS Workshop zum Thema „NDIR Sensoren und Komponenten“ in Erfurt statt. In zwei Sessions gab es Einblicke in aktuelle Forschungsprojekte zu IR-Strahler und IR-Detektoren, frische Ideen wurden geboren und neue Kontakte geknüpft
Projektabschluss: DefEin – Si-Detektoren mit flachem Eintrittsfenster
/in Messtechnik, UVIm erfolgreich abgeschlossenen Projekt DefEin wurden Dotiertechnologien entwickelt, die eine hohe Energieauflösung von aus Silizium bestehenden Strahlungssensoren ermöglichen, indem die hochdotierten Gebiete auf der Eintrittsseite der zu detektierenden Strahlung möglichst flach gehalten werden.
Projektstart: Komplexe Tools zur Bauelementesimulation (KTB)
/in MEMS, Simulation & DesignDas neue Projekt fokussiert auf die Bildung von Schnittstellen, um verschiedene vorhandene Design- und Simulationstools zu verknüpfen, am Beispiel der Entwicklung hochpräziser und langzeitstabiler Drucksensoren im CiS Forschungsinstitut
Silizium basierte piezoresistive Sensoren mit einer minimalen Brückengrundverstimmung
/in Druck, Kraft, MEMSDas neue F&E-Projekt miniOffset konzentriert auf die Entwicklung einer siliziumbasierten piezoresistiven Technologieplattform mit minimalen Brückengrundverstimmung. Basis bilden CMOS/MEMS-kompatible Materialien verknüpft mit kostengünstigen Herstellungsprozessen